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BFP 450 H6327
0.206
BFP 450 H6327 数据手册 (28 页)
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BFP 450 H6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343
额定功率
0.45 W
功耗
450 mW
输入电容
1.7 pF
击穿电压(集电极-发射极)
5 V
增益
15.5 dB
最小电流放大倍数
60
额定功率(Max)
450 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BFP 450 H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-65℃ ~ 150℃

BFP 450 H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
28 页 / 1.5 MByte
Infineon(英飞凌)
29 页 / 1.16 MByte

BFP450 数据手册

Infineon(英飞凌)
BFP450 NPN三极管 10V 100mA/0.1A 24GHz 50~150 SOT-343 marking/标记 AN 中等功率放大器
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP450H6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 4.5V, 100MA, SOT-343
Infineon(英飞凌)
高线性度硅双极RF晶体管 High Linearity Silicon Bipolar RF Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 450 H6327  射频晶体管, NPN, 4.5V, 100MA, SOT-343
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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