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BFR 193 E6327
0.074
BFR 193 E6327 数据手册 (6 页)
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BFR 193 E6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
65.0 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
0.58 W
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
580 mW
输入电容
2.25 pF
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
增益
10dB ~ 15dB
最小电流放大倍数
70 @30mA, 8V
最大电流放大倍数
70 @30mA, 8V
额定功率(Max)
580 mW
直流电流增益(hFE)
70
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
580 mW

BFR 193 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFR 193 E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.61 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.07 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.48 MByte

BFR193 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Siemens Semiconductor(西门子)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR193E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
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