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BFR193FH6327
0.101
BFR193FH6327 数据手册 (6 页)
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BFR193FH6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
8 GHz
引脚数
3 Pin
封装
TSFP
功耗
580 mW
最小电流放大倍数
70
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
580 mW

BFR193FH6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.2 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.55 mm

BFR193FH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.52 MByte

BFR193 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Siemens Semiconductor(西门子)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Intertechnology
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFR193E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
Infineon(英飞凌)
NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
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