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BFR193E6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BFR193E6327HTSA1 数据手册 (6 页)

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BFR193E6327HTSA1 数据手册 (6 页)

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BFR193E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

8000 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

12.0 V

额定电流

65.0 mA

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

580 mW

输入电容

2.25 pF

击穿电压(集电极-发射极)

12 V

增益

10dB ~ 15dB

最小电流放大倍数

70 @30mA, 8V

额定功率(Max)

580 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

580 mW

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BFR193E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BFR193E6327HTSA1 符合标准

BFR193E6327HTSA1 海关信息

BFR193E6327HTSA1 概述

BFR193E6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.61 MByte

BFR193E6327HTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BFR193E6327HTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.03 MByte

BFR193E6327HTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

BFR193E6327 数据手册

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NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor

BFR 193 E6327 数据手册

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