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BFR 193L3 E6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

PG-TSLP-3

描述:

射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BFR 193L3 E6327 数据手册 (6 页)

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BFR 193L3 E6327 数据手册 (6 页)

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BFR 193L3 E6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

12.0 V

额定电流

65.0 mA

封装

PG-TSLP-3

额定功率

0.58 W

输入电容

2.25 pF

击穿电压(集电极-发射极)

12 V

增益

12.5dB ~ 19dB

最小电流放大倍数

70 @30mA, 8V

最大电流放大倍数

70 @30mA, 8V

额定功率(Max)

580 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

580 mW

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BFR 193L3 E6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BFR 193L3 E6327 符合标准

BFR 193L3 E6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.48 MByte

BFR 193L3 E6327 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BFR 193L3 E6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.03 MByte

BFR193L3 数据手册

Infineon（英飞凌）

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

BFR193L3E6327 数据手册

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BFR193L3E6327XTMA1 数据手册

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射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS

BFR 193L3 E6327 数据手册

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射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR

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