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BGA715N7E6327XTSA2
0.555
BGA715N7E6327XTSA2 数据手册 (15 页)
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BGA715N7E6327XTSA2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
1.55GHz ~ 1.615GHz
引脚数
6 Pin
封装
TSNP-7-1
供电电流
3.3 mA
通道数
1 Channel
针脚数
7 Position
功耗
36 mW
增益
20 dB
测试频率
1.575 GHz
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
36 mW
电源电压
1.5V ~ 3.3V
电源电压(Max)
3.3 V
电源电压(Min)
1.5 V

BGA715N7E6327XTSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

BGA715N7E6327XTSA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.6 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 1.39 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.49 MByte

BGA715N7E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon**Infineon** 的射频低噪声放大器 (LNA) 范围涵盖了 MMIC、GPS、增益和 PCS 以及宽带类型和 Glonass 前端模块。 射频放大器具有低功耗、高数据速率接收特性,具有 ESD 保护,可在移动设备中使用。 GPS/GLONASS 模块广泛用于个人导航设备 (PND)、平板电脑、相机和手机。 ### 无线电频率 (RF) 放大器,Infineon
Infineon(英飞凌)
BGA715N7 1.5 至 3.3 V 0.7 dB 表面贴装 前端 低噪声 放大器 - TSNP-7
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