Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > SPU07N60C3 Datasheet 文档
SPU07N60C3
0.929
SPU07N60C3 数据手册 (13 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SPU07N60C3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
650 V
额定电流
7.30 A
封装
TO-251-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.54 Ω
极性
N-Channel
功耗
83 W
阈值电压
3 V
输入电容
790 pF
栅电荷
27.0 nC
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
连续漏极电流(Ids)
7.30 A
上升时间
3.5 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
83 W
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
83W (Tc)

SPU07N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
2.38 mm
高度
6.22 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SPU07N60C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.9 MByte
Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.95 MByte

SPU07N60 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPU07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPU07N60C3BKMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z