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BSC010N04LSATMA1
1.011
BSC010N04LSATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC010N04LSATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
额定功率
139 W
针脚数
8 Position
极性
N-Channel
功耗
139 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
100A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
6800pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)

BSC010N04LSATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.1 mm
宽度
5.35 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSC010N04LSATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.59 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.6 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 1.91 MByte

BSC010N04 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC010N04LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC010N04LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
40V,100A,1.05mΩ,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSC010N04LSCATMA1 -
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