￥ 0.755

BSC036NE7NS3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

INFINEON BSC036NE7NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC036NE7NS3 G 数据手册 (9 页)

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BSC036NE7NS3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0029 Ω

极性

N-Channel

功耗

156 W

阈值电压

3.1 V

漏源极电压(Vds)

75 V

上升时间

18 ns

输入电容值(Ciss)

4400pF @37.5V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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BSC036NE7NS3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC036NE7NS3 G 符合标准

BSC036NE7NS3 G 海关信息

BSC036NE7NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.57 MByte

BSC036NE7NS3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC036NE7NS3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC036NE7NS3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC036NE7NS3 数据手册

Infineon（英飞凌）

BSC036NE7NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC036NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V

BSC036NE7NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSC036NE7NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V

BSC036NE7NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

75V,100A,3.6mΩ,N沟道MOSFET

BSC036NE7NS3GXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

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