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SMUN5214DW1T1G
0.036
SMUN5214DW1T1G 数据手册 (8 页)
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SMUN5214DW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-363
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
功耗
0.385 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
80 @5mA, 10V
额定功率(Max)
187 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
385 mW

SMUN5214DW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SMUN5214DW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.04 MByte

SMUN5214DW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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