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STB14NK50ZT4
1.666
STB14NK50ZT4 数据手册 (19 页)
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STB14NK50ZT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
500 V
额定电流
14.0 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
0.34 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.00 A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150W (Tc)

STB14NK50ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STB14NK50ZT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
19 页 / 0.6 MByte

STB14NK50 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.34ohm - 14ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.34OHM​​ - 14A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-channel 500V - 0.34OHM - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET
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