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BSH111BKR
0.023
BSH111BKR 数据手册 (17 页)
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BSH111BKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.3 Ω
功耗
364 mW
阈值电压
1 V
输入电容
19.1 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
上升时间
8.4 ns
输入电容值(Ciss)
30pF @30V(Vds)
下降时间
4.8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
302mW (Ta)

BSH111BKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BSH111BKR 数据手册

Nexperia(安世)
17 页 / 0.39 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

BSH111 数据手册

NXP(恩智浦)
BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3
Philips(飞利浦)
Nexperia(安世)
World Products
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 210 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
NXP(恩智浦)
NXP  BSH111,215.  场效应管, MOSFET, N沟道
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  BSH111BK  小信号场效应管, MOSFET 新
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