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BSP613PL6327HUSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSP613PL6327HUSA1 数据手册 (8 页)

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BSP613PL6327HUSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-223-4

极性

P-CH

功耗

1800 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

2.9A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

875pF @25V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8W (Ta)

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BSP613PL6327HUSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSP613PL6327HUSA1 符合标准

BSP613PL6327HUSA1 概述

BSP613PL6327HUSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.48 MByte

BSP613PL6327HUSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.77 MByte

BSP613PL6327HUSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.16 MByte

BSP613PL6327 数据手册

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INFINEON BSP613P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.9 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V

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