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BSS123W-7
0.161
BSS123W-7 数据手册 (3 页)
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BSS123W-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
170 mA
封装
SOT-323-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
6 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 mW
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
170 mA
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
60pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 mW
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BSS123W-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm

BSS123W-7 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.26 MByte
Diodes(美台)
5 页 / 0.16 MByte
Diodes(美台)
6 页 / 0.2 MByte

BSS123 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Infineon(英飞凌)
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
SLKOR(韩国萨科微)
SOT-23 P=250mW N沟道 Ciss=14pF
Siemens Semiconductor(西门子)
Leshan Radio(乐山无线电)
National Semiconductor(美国国家半导体)
Freescale(飞思卡尔)
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,100V 及更高,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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