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BSS138NH6327XTSA2
0.035
BSS138NH6327XTSA2 数据手册 (9 页)
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BSS138NH6327XTSA2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.36 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
360 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.23A
上升时间
3 ns
输入电容值(Ciss)
41pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
360 mW
下降时间
8.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
360mW (Ta)

BSS138NH6327XTSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS138NH6327XTSA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.44 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
19 页 / 0.88 MByte

BSS138NH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS138N H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS138N-H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSS138NH6327XTSA2  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 2.2 ohm, 10 V, 1 V
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