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BSS84P H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSS84P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS84P H6327 数据手册 (8 页)

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BSS84P H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

8 Ω

极性

P-Channel

功耗

360 mW

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

16.2 ns

输入电容值(Ciss)

19pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 mW

下降时间

20.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360mW (Ta)

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BSS84P H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.10 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS84P H6327 符合标准

BSS84P H6327 海关信息

BSS84P H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.26 MByte

BSS84P H6327 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BSS84P H6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.37 MByte

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS84 晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V

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