￥ 0.491

BSZ15DC02KDHXTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSZ15DC02KDHXTMA1 数据手册 (14 页)

封装尺寸在12 页

BSZ15DC02KDHXTMA1 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BSZ15DC02KDHXTMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8

额定功率

2.5 W

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.041 Ω

极性

N+P

功耗

2.5 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

5.1A/3.2A

输入电容值(Ciss)

419pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

查看数据手册 >

BSZ15DC02KDHXTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

BSZ15DC02KDHXTMA1 符合标准

BSZ15DC02KDHXTMA1 概述

BSZ15DC02KDHXTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 0.46 MByte

BSZ15DC02KDHXTMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ15DC02KDHXTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSZ15DC02KDHXTMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 0.88 MByte

BSZ15DC02 数据手册

BSZ15DC02KDHXTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V

BSZ15DC02KD H 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号