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BSS83P H6327 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON BSS83P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSS83P H6327 数据手册 (9 页)

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BSS83P H6327 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.4 Ω

功耗

360 mW

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

71 ns

输入电容值(Ciss)

78pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

360 mW

下降时间

61 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360mW (Ta)

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BSS83P H6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1.10 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS83P H6327 符合标准

BSS83P H6327 海关信息

BSS83P H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.33 MByte

BSS83P H6327 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.25 MByte

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