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器件3D模型￥ 0.073
BZV55-C4V3,115 数据手册 - Nexperia（安世）
制造商:
Nexperia（安世）
分类:
齐纳二极管
封装:
SOD-80
描述:
齐纳二极管 500mW，BZV55 系列，NexperiaNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，Nexperia
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BZV55-C4V3,115数据手册
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Product data sheet Rev. 5 — 26 January 2011 4 of 13
NXP Semiconductors
BZV55 series
Voltage regulator diodes
Table 8. Characteristics per type; BZV55-B2V4 to BZV55-C24
T
j
=25
C unless otherwise specified.
BZV55-
xxx
Sel Working
voltage
V
Z
(V)
Differential resistance
r
dif
()
Temperature
coefficient
S
Z
(mV/K)
Diode
capacitance
C
d
(pF)
[1]
Non-repetitive
peak reverse
current
I
ZSM
(A)
[2]
I
Z
=5mA I
Z
=1mA I
Z
=5mA I
Z
=5mA
Min Max Typ Max Typ Max Min Typ Max Max Max
2V4 B 2.35 2.45 275 600 70 100 3.5 1.6 0 450 6.0
C2.22.6
2V7 B 2.65 2.75 300 600 75 100 3.5 2.0 0 450 6.0
C2.52.9
3V0 B 2.94 3.06 325 600 80 95 3.5 2.1 0 450 6.0
C2.83.2
3V3 B 3.23 3.37 350 600 85 95 3.5 2.4 0 450 6.0
C3.13.5
3V6 B 3.53 3.67 375 600 85 90 3.5 2.4 0 450 6.0
C3.43.8
3V9 B 3.82 3.98 400 600 85 90 3.5 2.5 0 450 6.0
C3.74.1
4V3 B 4.21 4.39 410 600 80 90 3.5 2.5 0 450 6.0
C4.04.6
4V7 B 4.61 4.79 425 500 50 80 3.5 1.4 0.2 300 6.0
C4.45.0
5V1 B 5.0 5.2 400 480 40 60 2.7 0.8 1.2 300 6.0
C4.85.4
5V6 B 5.49 5.71 80 400 15 40 2.0 1.2 2.5 300 6.0
C5.26.0
6V2 B 6.08 6.32 40 150 6 10 0.4 2.3 3.7 200 6.0
C5.86.6
6V8 B 6.66 6.94 30 80 6 15 1.2 3.0 4.5 200 6.0
C6.47.2
7V5 B 7.35 7.65 30 80 6 15 2.5 4.0 5.3 150 4.0
C7.07.9
8V2 B 8.04 8.36 40 80 6 15 3.2 4.6 6.2 150 4.0
C7.78.7
9V1 B 8.92 9.28 40 100 6 15 3.8 5.5 7.0 150 3.0
C8.59.6
10 B 9.8 10.2 50 150 8 20 4.5 6.4 8.0 90 3.0
C 9.4 10.6
11 B 10.8 11.2 50 150 10 20 5.4 7.4 9.0 85 2.5
C10.411.6
12 B 11.8 12.2 50 150 10 25 6.0 8.4 10.0 85 2.5
C 11.4 12.7
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