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BZX85C4V7
器件3D模型
0.03
BZX85C4V7 数据手册 (6 页)
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BZX85C4V7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
4.70 V
容差
±6 %
封装
DO-41-2
额定功率
1.00 W
击穿电压
4.7 V
针脚数
2 Position
正向电压
1.2V @200mA
功耗
1 W
测试电流
45 mA
稳压值
4.7 V
正向电压(Max)
1.2V @200mA
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1 W

BZX85C4V7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
5.21 mm
宽度
2.72 mm
高度
2.72 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃

BZX85C4V7 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.13 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.02 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.35 MByte

BZX85C4 数据手册

VISHAY(威世)
齐纳二极管 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
齐纳二极管 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX85C4V3  齐纳二极管
VISHAY(威世)
二极管-齐纳-43V-1.3W-±5%-通孔-DO-41
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BZX85C4V7  齐纳二极管
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  BZX85C47-TAP  齐纳二极管, 1.3W, 47V, DO-41
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor
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