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STW40N60M2-4
5.223
STW40N60M2-4 数据手册 (21 页)
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STW40N60M2-4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
250W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
2500pF @100V(Vds)
耗散功率(Max)
250W (Tc)

STW40N60M2-4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW40N60M2-4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
21 页 / 1.16 MByte

STW40N60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STW40N60M2 系列 600 V 0.088 Ohm 法兰安装 N 沟道 功率 Mosfet - TO-247
ST Microelectronics(意法半导体)
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