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Datasheet 搜索 > 陶瓷电容 > Samsung(三星) > CL21A475KPFNNNE Datasheet 文档
CL21A475KPFNNNE
器件3D模型
0.027
CL21A475KPFNNNE 数据手册 (21 页)
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CL21A475KPFNNNE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
10.0 V
绝缘电阻
10 GΩ
电容
4700000 pF
容差
±10 %
封装(公制)
2012
封装
0805
电介质特性
X5R
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
精度
±10 %
额定电压
10 V

CL21A475KPFNNNE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
X5R/-55℃~+85℃
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1.25 mm
工作温度
-55℃ ~ 85℃
厚度
1.25 mm
最小包装数量
2000

CL21A475KPFNNNE 数据手册

Samsung(三星)
21 页 / 0.35 MByte
Samsung(三星)
84 页 / 6.45 MByte
Samsung(三星)
3 页 / 0.27 MByte
Samsung(三星)
160 页 / 4.82 MByte

CL21A475 数据手册

Samsung(三星)
0805 4.7 uF 25 V ±10 % 容差 X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL 系列 0805 4.7 uF 50 V ±10 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21系列 0805 4.7 uF 16 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21系列 0805 4.7 uF 10 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21 系列 0805 4.7 uF 6.3 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
Samsung 0805 C0G/X5R MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
CL21系列 0805 4.7 uF 10 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
MLCC-多层陶瓷电容器
Samsung(三星)
CL21 系列 0805 4.7 uF 6.3 V 10 % X5R SMD 多层陶瓷电容
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