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CNY66B
10.118

CNY66B 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DIP-4
正向电压
1.6 V
功耗
250 mW
上升时间
2.4 μs
隔离电压
13.9 kV
正向电流
1.6 A
下降时间
2.7 μs

CNY66B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 85℃

CNY66B 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.11 MByte

CNY66 数据手册

VISHAY(威世)
光电耦合器与光电晶体管输出 Optocoupler with Phototransistor Output
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  CNY66  光电耦合器, 晶体管输出, 1通道, DIP, 4 引脚, 75 mA, 13.9 kV, 50 %
Vishay Siliconix
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
晶体管输出光电耦合器 15kV 100-200%CTR High Islation 700mil
Vishay Siliconix
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