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器件3D模型
¥ 0.569
CSD17302Q5A 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
PowerTDFN-8
描述:
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
CSD17302Q5A 数据手册 (12 页)
引脚图
在
2 页
Hot
封装尺寸
在
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典型应用电路图
在
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原理图
在
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CSD17302Q5A 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PowerTDFN-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
6.4 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3 W
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
87.0 A
上升时间
8.4 ns
输入电容值(Ciss)
950pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
3.1 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta)
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CSD17302Q5A 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17302Q5A 数据手册
CSD17302Q5A
数据手册
TI(德州仪器)
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CSD17302Q5 数据手册
CSD17302Q5
A
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TI(德州仪器)
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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STM32F103
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