￥ 6.574

CSD19536KTT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD19536KTT 数据手册 (14 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 10 页 12 页 13 页

CSD19536KTT 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

CSD19536KTT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

极性

N-CH

功耗

375 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

12000pF @50V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375W (Tc)

查看数据手册 >

CSD19536KTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

CSD19536KTT 符合标准

CSD19536KTT 概述

CSD19536KTT 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.85 MByte

CSD19536KTT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.87 MByte

CSD19536 数据手册

CSD19536KCS 数据手册

TI（德州仪器）

100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS

CSD19536KTT 数据手册

TI（德州仪器）

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19536KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号