￥ 23.14

IXTK90N25L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXTK 系列单 N 沟道 250 V 33 mOhm 960 W 功率 MOSFET - TO-264

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTK90N25L2 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IXTK90N25L2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

N-Channel

功耗

960 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

250 V

上升时间

175 ns

输入电容值(Ciss)

23000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

960 W

下降时间

160 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

960W (Tc)

查看数据手册 >

IXTK90N25L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXTK90N25L2 符合标准

IXTK90N25L2 概述

IXTK90N25L2 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.15 MByte

IXTK90N25 数据手册

IXTK90N25L2 数据手册

IXYS Semiconductor

IXTK 系列单 N 沟道 250 V 33 mOhm 960 W 功率 MOSFET - TO-264

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号