￥ 2.113

CSD19536KTTT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD19536KTTT 数据手册 (14 页)

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CSD19536KTTT 数据手册 (14 页)

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CSD19536KTTT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

0.002 Ω

极性

N-Channel

功耗

375 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

200A

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

9250pF @50V(Vds)

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375W (Tc)

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CSD19536KTTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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CSD19536KTTT 符合标准

CSD19536KTTT 概述

CSD19536KTTT 数据手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.85 MByte

CSD19536KTTT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

14 页 / 0.87 MByte

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100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19536KCS

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