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STGW60H65DFB 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

650V,80A,IGBT带二极管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGW60H65DFB 数据手册 (19 页)

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STGW60H65DFB 数据手册 (19 页)

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STGW60H65DFB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

功耗

375 W

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

60 ns

额定功率(Max)

375 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

375 W

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STGW60H65DFB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGW60H65DFB 符合标准

STGW60H65DFB 海关信息

STGW60H65DFB 概述

STGW60H65DFB 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

19 页 / 1.53 MByte

STGW60H65DFB 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

20 页 / 1.59 MByte

STGW60H65DFB 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.11 MByte

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