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IRF530NS
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IRF530NS 数据手册 (11 页)
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IRF530NS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
100 V
额定电流
17.0 A
封装
D2PAK
极性
N-Channel
功耗
3.80 W
零部件系列
IRF530NS
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
22.0 ns
输入电容值(Ciss)
920pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W

IRF530NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk

IRF530NS 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.59 MByte

IRF530 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 14A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
Harris
N沟道 100V 14A
Motorola(摩托罗拉)
Infineon(英飞凌)
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