器件3D模型

￥ 0.517

CSD25202W15 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-9

描述:

CSD25202W15 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

CSD25202W15 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 10 页

CSD25202W15 数据手册 (12 页)

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CSD25202W15 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

9 Pin

封装

DSBGA-9

极性

P-CH

功耗

0.5 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1010pF @10V(Vds)

下降时间

28 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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CSD25202W15 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD25202W15 符合标准

CSD25202W15 海关信息

CSD25202W15 概述

CSD25202W15 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.4 MByte

CSD25202W15 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

54 页 / 1.37 MByte

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CSD25202W15 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD25202W15T 数据手册

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TEXAS INSTRUMENTS CSD25202W15T 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.021 ohm, -4.5 V, -750 mV

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