￥ 0.788

CSD87312Q3E 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

PowerTDFN-8

描述:

双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD87312Q3E 数据手册 (13 页)

封装尺寸在6 页 9 页 11 页 12 页

CSD87312Q3E 数据手册 (13 页)

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CSD87312Q3E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PowerTDFN-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

38 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.5 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

27A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

1250pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

2.9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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CSD87312Q3E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.3 mm

宽度

3.3 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD87312Q3E 符合标准

CSD87312Q3E 概述

CSD87312Q3E 数据手册

TI（德州仪器）

13 页 / 0.77 MByte

CSD87312Q3E 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

3 页 / 0.29 MByte

CSD87312Q3 数据手册

CSD87312Q3E 数据手册

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双30 -V N通道NexFET功率MOSFET Dual 30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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