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IRLHS2242TRPBF
器件3D模型
0.133
IRLHS2242TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRLHS2242TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
PQFN-6
额定功率
2.1 W
通道数
1 Channel
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.025 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.1 W
输入电容
877 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
7.2A
上升时间
54 ns
输入电容值(Ciss)
877pF @10V(Vds)
下降时间
66 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.1W (Ta), 9.6W (Tc)

IRLHS2242TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.1 mm
宽度
2 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLHS2242TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.04 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.12 MByte

IRLHS2242 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLHS2242TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -20 V, 25 mohm, -4.5 V, -800 mV
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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