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D45H11G
0.415
D45H11G 数据手册 (6 页)
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D45H11G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-10.0 A
封装
TO-220-3
极性
PNP, P-Channel
功耗
2000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
-80.0 V
集电极最大允许电流
10A

D45H11G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

D45H11G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.34 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

D45H11 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -10 A, 120 hFE
ON Semiconductor(安森美)
互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  D45H11  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 60 W, -10 A, 60 hFE
Multicomp
MULTICOMP  D45H11  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 15 MHz, 50 W, -10 A, 60 hFE
Boca Semiconductor(博卡半导体)
Motorola(摩托罗拉)
Rectron Semiconductor
Central Semiconductor
Intersil(英特矽尔)
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