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DG611AEY-T1-E3
器件3D模型
0.5
DG611AEY-T1-E3 数据手册 (17 页)
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DG611AEY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
封装
SOIC
功耗
640 mW
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
640 mW

DG611AEY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.55 mm

DG611AEY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
17 页 / 0.3 MByte

DG611AEYT1 数据手册

VISHAY(威世)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏,四通道SPST开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches
Vishay Semiconductor(威世)
DG611A 系列 单刀单掷 12 V 115 Ohm 表面贴装 1 pC 电荷注入 模拟开关 SOIC-16N
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