器件3D模型

￥ 0.862

SI4920DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4920DY-T1-E3 数据手册 (5 页)

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SI4920DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

漏源极电阻

0.035 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.90 A

上升时间

10 ns

热阻

62.5℃/W (RθJA)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SI4920DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4920DY-T1-E3 符合标准

SI4920DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.06 MByte

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