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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor(威世) > SI4920DY-T1-E3 Datasheet 文档
SI4920DY-T1-E3
器件3D模型
0.862
SI4920DY-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI4920DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
漏源极电阻
0.035 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.90 A
上升时间
10 ns
热阻
62.5℃/W (RθJA)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI4920DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
高度
1.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI4920DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.06 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
5 页 / 0.07 MByte

SI4920DYT1 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4920DY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 6.9A, 整卷
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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