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DMG1012TQ-7
0.027
DMG1012TQ-7 数据手册 (7 页)
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DMG1012TQ-7 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
SOT-523
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.3 Ω
功耗
280 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
7.4 ns
输入电容值(Ciss)
60.67pF @16V(Vds)
下降时间
12.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
280 mW

DMG1012TQ-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

DMG1012TQ-7 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.43 MByte

DMG1012 数据手册

Diodes(美台)
DMG1012T 系列 20 V 400 mOhm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-523
Diodes(美台)
N 沟道 20 V 1 A 0.45 Ω 表面贴装 增强模式 功率 MosFet - SOT-323
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  DMG1012UW  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1 A, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 500 mV
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
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