输入电容值(Ciss)
1610pF @10V(Vds)
●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8v 最大漏极电流Id Drain Current | 3.6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.035Ω/Ohm @4A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.4--1.0V 耗散功率Pd Power Dissipation | 810mW/0.81W Description & Applications | • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • ESD Protected Up To 3KV • "Green" Device (Note 2) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 描述与应用 | •低导通电阻 •低输入电容 •开关速度快 •低输入/输出漏 •铅通过设计/符合RoHS标准（注1） •ESD保护可达3KV •"绿色"设备（注2） •符合AEC-Q101标准的高可靠性
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DIODES INC. DMP2035U 晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -3.6 A, -20 V, 0.023 ohm, -4.5 V, -700 mV
Diodes（美台）
双P沟道(共漏) 20V 6.04A
Diodes Zetex（捷特科）
P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc
Diodes（美台）
场效应管(MOSFET) DMP2035UQ-7 SOT-23
Diodes Zetex（捷特科）
P 通道 MOSFET，12V 至 25V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
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