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FGA25N120ANTDTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-3-3

描述:

ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FGA25N120ANTDTU 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

FGA25N120ANTDTU 数据手册 (9 页)

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FGA25N120ANTDTU 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

针脚数

3 Position

功耗

312 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

350 ns

额定功率(Max)

312 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

312 W

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FGA25N120ANTDTU 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

18.9 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FGA25N120ANTDTU 符合标准

FGA25N120ANTDTU 海关信息

FGA25N120ANTDTU 概述

FGA25N120ANTDTU 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.3 MByte

FGA25N120ANTDTU 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 1.41 MByte

FGA25N120ANTDTU 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.62 MByte

FGA25N120ANTDTU 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

21 页 / 0.73 MByte

FGA25N120ANTDTU 其他参考文件

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