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EMZ1T2R
0.025
EMZ1T2R 数据手册 (4 页)
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EMZ1T2R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
150 mA
封装
EMT-6
额定功率
0.15 W
针脚数
6 Position
极性
NPN, PNP
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.15A
最小电流放大倍数
120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数
560
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
120
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

EMZ1T2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
高度
0.45 mm
工作温度
150℃ (TJ)

EMZ1T2R 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.09 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2 页 / 0.44 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.12 MByte

EMZ1T2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  EMZ1T2R  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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