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IPW60R199CP
2.917
IPW60R199CP 数据手册 (10 页)
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IPW60R199CP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
16.0 A
封装
TO-247-3
漏源极电阻
199 mΩ
极性
N-Channel
功耗
139 W
阈值电压
3 V
输入电容
1.52 nF
栅电荷
43.0 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
上升时间
5 ns
输入电容值(Ciss)
1520pF @100V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
139W (Tc)

IPW60R199CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPW60R199CP 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.62 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.58 MByte

IPW60R199 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CPFKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
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