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Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FCPF400N80Z Datasheet 文档
FCPF400N80Z
1.77

FCPF400N80Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220F-3
额定功率
35.7 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.34 Ω
极性
N-Channel
功耗
35.7 W
阈值电压
4.5 V
漏源极电压(Vds)
800 V
连续漏极电流(Ids)
14A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
2350pF @100V(Vds)
下降时间
2.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
35.7W (Tc)

FCPF400N80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.36 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.07 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FCPF400N80Z 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.69 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.69 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.73 MByte

FCPF400N80 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF400N80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF400N80Z, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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