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FDB8447L
0.525
FDB8447L 数据手册 (6 页)
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FDB8447L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
2 Position
漏源极电阻
0.0085 Ω
极性
N-Channel
功耗
60 W
阈值电压
1.9 V
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40.0 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
2620pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60 W

FDB8447L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
11.33 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDB8447L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.42 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
55 页 / 0.78 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.07 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDB8447 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8447L  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 8.5 mohm, 20 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Freescale(飞思卡尔)
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