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IPW60R280P6
1.677
IPW60R280P6 数据手册 (15 页)
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IPW60R280P6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.252 Ω
极性
N-Channel
功耗
104 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
13.8A
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
1190pF @100V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
104000 mW

IPW60R280P6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPW60R280P6 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
42 页 / 1.35 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPW60R280 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R280P6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R280C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R280C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R280E6FKSA1, 13.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPW60R280P6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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