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IRF60B217 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

IRF60B217 系列 60 V 60 A 9 mOhm 法兰安装 IR Mosfet - TO-220AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF60B217 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

IRF60B217 数据手册 (10 页)

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IRF60B217 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.3 mΩ

极性

N-CH

功耗

83 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

60A

上升时间

37 ns

输入电容值(Ciss)

2230pF @25V(Vds)

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

83 W

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IRF60B217 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

10.67 mm

宽度

4.83 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF60B217 符合标准

IRF60B217 海关信息

IRF60B217 概述

IRF60B217 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.22 MByte

IRF60B217 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF60B217 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRF60B217 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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