FDC6321C

￥ 0.121

FDC6321C 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6321C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 460 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDC6321C 数据手册 (8 页)

FDC6321C 数据手册 (8 页)

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FDC6321C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电流

680 mA

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.33 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

900 mW

阈值电压

800 mV

输入电容

63.0 pF

栅电荷

1.10 nC

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

±25.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

680 mA, 460 mA

上升时间

9.00 ns

输入电容值(Ciss)

50pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.9 W

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FDC6321C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDC6321C 符合标准

FDC6321C 海关信息

FDC6321C 数据手册

FDC6321C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.12 MByte

FDC6321C 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.22 MByte

FDC6321C 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDC6321C 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 1.89 MByte

FDC6321C 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.71 MByte

FDC6321C 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.08 MByte

FDC6321 数据手册

FDC6321C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6321C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 460 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV

FDC6321C 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6321C, 460 mA，680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装

FDC6321C_NL 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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