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FDC655AN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDC655AN 数据手册 (4 页)

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FDC655AN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TSOT-23-6

漏源极电阻

23.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.6 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.30 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

830pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

800 mW

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Ta)

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FDC655AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDC655AN 符合标准

FDC655AN 海关信息

FDC655AN 概述

FDC655AN 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.3 MByte

FDC655AN 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDC655AN 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.19 MByte

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