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FDC655AN
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FDC655AN 数据手册 (5 页)
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FDC655AN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOT-23-6
功耗
1.6W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
830pF @15V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6W (Ta)

FDC655AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDC655AN 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.19 MByte

FDC655 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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