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FDC655BN_F123
0.248
FDC655BN_F123 数据手册 (8 页)
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FDC655BN_F123 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SSOT-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
25 mΩ
功耗
1.6 W
漏源击穿电压
30 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

FDC655BN_F123 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm

FDC655BN_F123 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.35 MByte

FDC655 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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