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FDC6561AN 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N沟道 MOSFET FDC6561AN, 2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDC6561AN 数据手册 (5 页)

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FDC6561AN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.082 Ω

功耗

960 mW

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

220pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

960 mW

FDC6561AN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3 mm

宽度

1.7 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDC6561AN 符合标准

FDC6561AN 概述

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