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FDD8453LZ
0.539
FDD8453LZ 数据手册 (7 页)
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FDD8453LZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
极性
N-CH
功耗
3.1 W
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
16.4A
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
3515pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
3.1 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1W (Ta), 65W (Tc)

FDD8453LZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDD8453LZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDD8453 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8453LZ, 16 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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